半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

本发明之目的在于：使在半导体装置S的基体层1确实形成剥离层32，同时容易控制氢的离子植入。半导体装置S的制造方法为具备了基体层1的半导体装置S的制造方法，该基体层具有形成活性区域30的复数第1区域R2与在各第1区域R1间设置的第2区域R2；其步骤包括：在第2区域R2形成元件分隔用绝缘膜5使其高度与覆盖活性区域30的闸极氧化膜7的表面高度相同之元件分隔用绝缘膜形成步骤，元件分隔用绝缘膜形成步骤后在基体层1上离子植入氢形成剥离层32之剥离层形成步骤，以及沿着剥离层32分离基体层1的一部分之分离步骤。