| 发明名称 | PMOS晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种PMOS晶体管的形成方法，包括如下步骤：在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；在栅极结构两侧形成偏移侧墙；以偏移侧墙为掩模，进行P型离子注入，在半导体衬底内形成注入深度大于锑非晶化注入区的源/漏延伸区；以偏移侧墙为掩模，进行P型离子注入，在半导体衬底内形成源/漏延伸区；形成包围栅极结构和偏移侧墙的间隙壁；以间隙壁为掩模，在半导体衬底内形成源/漏极。所述方法减小了PMOS晶体管的短沟道效应，减小器件尺寸减小所带来的击穿效应以及由其引起的结漏电。本发明还提供了采用所述方法形成的PMOS晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN101459083A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710094530.7 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李家豪 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种PMOS晶体管的形成方法，包括如下步骤：在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；在栅极结构两侧形成偏移侧墙；以偏移侧墙为掩模，在半导体衬底内进行锑预非晶化注入，形成锑预非晶化注入区；以偏移侧墙为掩模，进行P型离子注入，在半导体衬底内形成注入深度大于锑非晶化注入区的源/漏延伸区；形成包围栅极结构和偏移侧墙的间隙壁；以间隙壁为掩模，在半导体衬底内形成源/漏极。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||