| 发明名称 |
PROGRAMMING SCHEME FOR IMPROVED VOLTAGE DISTRIBUTION IN SOLID-STATE MEMORY |
| 摘要 |
프로그램 중지 커맨드를 사용하여 솔리드 스테이트 메모리에서 프로그래밍 간섭을 감소시키는 시스템들 및 방법들이 개시된다. 데이터 저장 시스템은 복수의 비휘발성 메모리 디바이스들을 포함하는 비휘발성 메모리 어레이 및 제 1 워드 라인에 커플링된 제 1 셀을 부분적으로 프로그래밍하도록 구성된 제어기를 포함한다. 제 1 셀과 연관된 프로그래밍 기준이 충족되는 경우, 제어기는 프로그램 중지 커맨드를 실행하고, 그 후 제 1 워드 라인에 커플링된 제 2 셀이 적어도 부분적으로 프로그래밍된다. 제 2 셀의 상기 적어도 부분적인 프로그래밍에 후속하여 상기 제 1 셀의 프로그래밍이 재개된다. |
| 申请公布号 |
KR20160064252(A) |
申请公布日期 |
2016.06.07 |
| 申请号 |
KR20167013612 |
申请日期 |
2014.10.24 |
| 申请人 |
WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC. |
发明人 |
LI HAIBO;ZHAO DENGTAO;SUN YONGKE;STOEV KROUM S.;LIANG GUIRONG |
| 分类号 |
G11C16/10;G11C11/56;G11C16/04;G11C16/32 |
主分类号 |
G11C16/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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