发明名称 用于制造作为微电子装置中导线周围的衬垫之磁场集中器的方法
摘要 于一磁性随机存取记忆体单元(MRAM)中,写入电流被包裹于一低磁阻材料中,可以数种方式之一处理该低磁阻材料,以使最靠近该储存元件之材料无法携载磁通量,藉此建立一使该磁通量集中朝向该储存元件的马蹄形横截面。
申请公布号 TW200614230 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW094118615 申请日期 2005.06.06
申请人 万国商业机器公司 发明人 麦克C 盖迪斯;飞利浦L 创乐劳德;席瓦纳达K 卡那卡萨巴帕斯;大卫W 亚伯拉罕
分类号 G11C11/14 主分类号 G11C11/14
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国