发明名称 |
用于制造作为微电子装置中导线周围的衬垫之磁场集中器的方法 |
摘要 |
于一磁性随机存取记忆体单元(MRAM)中,写入电流被包裹于一低磁阻材料中,可以数种方式之一处理该低磁阻材料,以使最靠近该储存元件之材料无法携载磁通量,藉此建立一使该磁通量集中朝向该储存元件的马蹄形横截面。 |
申请公布号 |
TW200614230 |
申请公布日期 |
2006.05.01 |
申请号 |
TW094118615 |
申请日期 |
2005.06.06 |
申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
麦克C 盖迪斯;飞利浦L 创乐劳德;席瓦纳达K 卡那卡萨巴帕斯;大卫W 亚伯拉罕 |
分类号 |
G11C11/14 |
主分类号 |
G11C11/14 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
美国 |