一种包括位于中间的保护层的自旋注入器

摘要

一种用于制造自旋注入器件(30)的方法，包括以下步骤：a)在衬底(10)的面(11)上形成金属保护层(22)以限制或者阻止所述面被环境氧化和/或污染，所述衬底的所述面为磁性的和导电的，所述保护层具有反磁性或顺磁性的性质；b)在所述保护层上形成上层(32)，所述上层(32)能够根据由所述衬底和/或所述衬底的所述面的磁性限定的幅度和自旋参考框架来促进所述保护层与所述上层之间的界面的费米能级附近的电子态的自旋偏离，所述上层为有机层，所述有机层的与所述保护层接触的一个或更多个分子位置具有由单一的磁性参考框架所表征的顺磁矩。

主权项

一种用于制造自旋注入器件(30)的方法，包括以下步骤：a)在衬底(10)的面(11)上形成金属保护层(22)以限制或者阻止所述面被环境氧化和/或污染，所述衬底(10)的所述面(11)为磁性的并且导电的，所述金属保护层(22)具有反磁性或顺磁性的性质；b)在所述金属保护层(22)上形成上层(32)，所述上层(32)能够根据由所述衬底(10)和/或所述衬底(10)的所述面(11)的磁性限定的幅度和自旋参考框架来促进所述金属保护层(22)与所述上层(32)之间的界面的费米能级附近的电子态的自旋偏离，所述上层(32)为有机层，所述有机层的与所述金属保护层(22)接触的一个或更多个分子位置具有由单一的磁性参考框架所表征的顺磁矩，所述单一的磁性参考框架在空间和时间上是固定的并且基于所述衬底(10)和/或所述衬底(10)的所述面(11)的磁性参考框架。