| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiterschaltungsbauelements, das mit einem Hochspannungs-MOS-Transistor versehen ist |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69617131(D1) |
申请公布日期 |
2002.01.03 |
| 申请号 |
DE19966017131 |
申请日期 |
1996.07.31 |
| 申请人 |
SANYO ELECTRIC CO., LTD. |
发明人 |
AOYAMA, MASASHIGE;YOSHITAKE, KAZUHIRO |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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