发明名称 PHOTO MASK BLANK METHOD FOR MANUFACTURING PHOTO MASK BLANK AND PHOTO MASK
摘要 본 발명은 포토마스크 블랭크(10)에 관한 것으로서, 투명기판(11) 상에 일종 이상의 금속을 포함하는 한 층 이상의 금속막(12)이 형성되고, 상기 금속막(12)의 전면에 형성되는 레지스트막(13)을 포함하는 포토마스크 블랭크(10)에 있어서, 상기 레지스트막(13)은 상기 레지스트막(13)의 평균 막 두께보다 높은 막 두께를 갖고 상기 레지스트막(13)의 외주 영역에 형성되는 에지 비드(14)를 포함하며, 상기 에지 비드(17)의 폭이 700㎛ 이하인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 포토마스크 블랭크(10)는 에지 비드(14)의 폭이 작기 때문에, 패턴이 형성될 수 있는 유효 면적이 증가하게 되어 보조 패턴의 불량을 최소화 할 수 있다.
申请公布号 KR101654515(B1) 申请公布日期 2016.09.07
申请号 KR20090087507 申请日期 2009.09.16
申请人 주식회사 에스앤에스텍 发明人 남기수;차한선;김동건;금두훈
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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