| 发明名称 | 半导体异质结构 | ||
| 摘要 | 一种应变半导体异质结构(10)包括：注入区，其包括具有p型传导性的第一发射极层(11)和具有n型传导性的第二发射极层(12)；以及光产生层(13)，其位于第一发射极层(11)和第二发射极层(12)之间。电子俘获区(14)位于光产生层(13)和第二发射极层(12)之间，该电子俘获区包括邻近第二发射极层的俘获层(16)、以及邻近该电子俘获层的局限层(15)。根据本发明，局限层(15)和俘获层(16)的宽度和材料选择成使俘获层(16)中电子的局域能级中的一个能级和第二发射极层(12)的导带底之间能量差等于光声子的能量。 | ||
| 申请公布号 | CN101057343A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200580038404.9 | 申请日期 | 2005.09.19 |
| 申请人 | 奥普特冈有限公司 | 发明人 | 马克西姆·欧得诺莱多夫;弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 颜涛;郑霞 |
| 主权项 | 1.一种应变半导体异质结构(10)，其包括：注入区，其包括具有p型传导性的第一发射极层(11)和具有n型传导性的第二发射极层(12)；光产生层(13)，其位于所述第一发射极层(11)和所述第二发射极层(12)之间，所述光产生层的带隙能量小于所述第一发射极层和所述第二发射极层的带隙能量；电子俘获区(14)，其位于所述光产生层(13)和所述第二发射极层(12)之间，所述电子俘获区包括邻近所述第二发射极层的俘获层(16)以及邻近所述电子俘获层的局限层(15)，所述局限层的带隙能量大于所述光产生层的所述带隙能量，所述俘获层的带隙能量小于所述局限层的所述带隙能量，以及所述俘获层中电子的最低能级高于所述光产生层中电子的最低能级；其特征在于，所述局限层(15)和所述俘获层(16)的宽度和材料选择成提供所述俘获层(16)中电子的局域能级中的一个局域能级和所述第二发射极层(12)的导带底之间的能量差等于光声子的能量。 | ||
| 地址 | 芬兰埃斯波 | ||