| 摘要 |
본 발명은 흑연 기판의 표면 특성 개질 방법에 관한 것으로, 반응로를 관통하여 위치하는 흑연 지그를 냉각로에 연결하고, 상기 흑연 지그가 상기 냉각로로부터 전달받은 냉기를 상기 흑연 지그 상부에 위치하는 흑연기판으로 전달하여 상기 흑연기판이 냉각되는 단계, 분말 상태의 Si을 상기 반응로에 주입하는 단계, 상기 반응로를 진공으로 형성하고 상기 반응로의 온도를 설정된 온도로 유지하여, 상기 분말 상태의 Si가 기체 상태의 Si로 변하는 단계, 그리고 상기 기체 상태의 Si가 상기 냉각된 흑연기판의 표면에 닿아 액체 상태의 Si로 변하고, 상기 냉각된 흑연기판에 흡착된 고체 상태의 C와 발열활성 반응을 통해 SiC 코팅층을 형성하는 단계를 포함한다. 이로 인해, 흑연 기판에 흡착된 기체 상태의 Si가 냉각대에 연결된 흑연 기판에 의해 액체 상태로 빠르게 변하고, 액체 상태의 Si와 고체 상태의 C의 발열활성 반응에 의해 흑연 기판 상부에 SiC 코팅층이 두껍게 형성되므로, 흑연기판의 표면 특성의 개질 효율이 좋다. |
