一种半导体传感器窗厚测量方法及装置

摘要

本发明提供了一种半导体传感器窗厚测量方法及装置，所述方法包括：步骤101，依据半导体传感器窗厚理论值估算不同离子穿透传感器窗和灵敏区所需要的能量；步骤102，依据得到的不同离子穿透半导体窗和灵敏区所需的能量值统计各种离子穿透传感器窗和灵敏区的情况，并依据使离子穿透传感器窗同时又不穿透灵敏区的原则，从所有离子中选定若干离子种类和能量；步骤103，依据选定的离子种类和能量值设置离子枪，即使离子抢射出的离子种类和能量与选定的离子的种类和能量值相同，并将离子抢射出的离子传输至半导体传感器处，进而测试半导体传感器的窗厚。本发明的技术方案可以为半导体窗开展测量厚度，从而为仪器研制的质量保证提供保障。

主权项

一种测量半导体传感器窗厚的装置，其特征在于，所述装置包括：离子枪、真空罐、传感器、离子检测仪和真空转台；所述离子枪用于输出测试所需要的离子束流；所述真空罐用于为测试半导体传感器窗厚提供真空腔体空间，所述离子枪与真空罐壁连接，且所述真空罐的底部安装真空转台；所述真空转台还用于安装传感器和离子检测仪，且位于真空转台上的离子检测仪使得：当需要检测离子的时候的将离子检测仪移动至离子束流区域，当测试窗厚度期间将离子检测仪移离束流区域同时把半导体传感器移入离子束流区。