发明名称 一种基于IGBT的直流输电装置的主电路拓扑结构
摘要 本实用新型公开了一种基于IGBT的直流输电装置的主电路拓扑结构,包括一个直流电压源,所述直流电压源并联有若干组IGBT单阀,每组IGBT单阀为两个,每组IGBT单阀均连接于同一交流系统上,每个所述的IGBT单阀由两个IGBT阀并联组成,所述IGBT阀包括一个门极驱动电路,所述门极驱动电路连接IGBT,并为IGBT提供开/关脉冲,所述IGBT两端分别并联有一个二极管、一个均压电阻以及一个吸收电路,所述吸收电路由一个吸收电容、一个吸收电阻以及一个快速二极管组成,所述吸收电容的一端连接于IGBT,另一端连接均压电阻以及快速二极管的负极,采用IGBT技术,利用IGBT阀的合理设计,解决了在利用VSC‑HVDC提高电网输电能力及其可靠性应首先保证装置本身的安全稳定运行问题。
申请公布号 CN205490221U 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201620244352.6 申请日期 2016.03.25
申请人 科广电子(东莞)有限公司 发明人 钟权恩
分类号 H02M7/5387(2007.01)I;H02M1/32(2007.01)I;H02J3/36(2006.01)I 主分类号 H02M7/5387(2007.01)I
代理机构 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人 肖平安
主权项 一种基于IGBT的直流输电装置的主电路拓扑结构,其特征在于,包括一个直流电压源(1),所述直流电压源(1)并联有若干组IGBT单阀(2),每组IGBT单阀(2)为两个,每组IGBT单阀(2)均连接于同一交流系统(3)上,每个所述的IGBT单阀(2)由两个IGBT阀(4)并联组成,所述IGBT阀(4)包括一个门极驱动电路(5),所述门极驱动电路(5)连接IGBT(6),并为IGBT(6)提供开/关脉冲,所述IGBT(6)两端分别并联有一个二极管(7)、一个均压电阻(8)以及一个吸收电路(9),所述吸收电路(9)由一个吸收电容(10)、一个吸收电阻(11)以及一个快速二极管(12)组成,所述吸收电容(10)的一端连接于IGBT(6),另一端连接均压电阻(8)以及快速二极管(12)的负极。
地址 523401 广东省东莞市寮步镇上屯工业区