| 摘要 |
본 개시물의 실시예들은 일반적으로 처리 챔버 내에서의 입자 발생을 감소시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서, 이 방법은 급전되는 상부 전극과 접지되는 하부 전극 사이에서 플라즈마를 발생시키는 단계 - 상부 전극은 하부 전극에 평행함 -; 및 급전되는 상부 전극과 플라즈마 사이의 전기 전위 차이 및/또는 접지되는 하부 전극과 플라즈마 사이의 전기 전위 차이를 최소화하기 위해, 막 퇴적 프로세스 동안 급전되는 상부 전극에 일정한 제로 DC 바이어스 전압을 인가하는 단계를 일반적으로 포함한다. 플라즈마와 전극들 사이의 전기 전위 차이를 최소화하면 입자 발생이 감소되는데, 그 이유는 전극들의 시스 영역 내의 이온들의 가속이 감소되고, 전극들 상의 보호 코팅 층과 이온들의 충돌력이 최소화되기 때문이다. 그러므로, 기판 표면 상의 입자 발생이 감소된다. |
