掃引源光干渉断層撮影システム用の波長同調型垂直キャビティ面発光レーザー

摘要

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）技術を用いた波長同調型垂直キャビティ面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）を、光干渉断層撮影（ＯＣＴ）用掃引源として提供する。波長同調型ＶＣＳＥＬは、ＶＣＳＥＬの下側ミラーと、活性領域と、静電偏向により可動なＭＥＭＳ同調型上側ミラーとを備える。ＧａＡｓ系分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）スタックを含む下側ミラーと、ＧａＡｓ系量子ドット（ＱＤ）層の複数スタックを含む活性領域とを、ＧａＡｓ基板上にエピタキシャル成長させる。ＭＥＭＳ同調型上側ミラーは、サスペンションビームに支持される膜部と、誘電体ＤＢＲスタックを含む上側ミラーとを備える。ＭＥＭＳ同調型量子ドットＶＣＳＥＬは、１００ｎｍを超える動作波長範囲をカバーすることができ、好ましくは２５０〜１９５０ｎｍの中心波長を持つ。掃引レートは、数ｋＨｚ〜数１００ｋＨｚであってもよく、数ＭＨｚまでであってもよい。