具有磁场可控的双向形状记忆效应的磁性单晶及制备方法

摘要

本发明涉及一种具有磁诱导高应变形状记忆效应的磁性单晶及其制备方法。该磁性单晶具有Co_xNi_yGa_z化学式，其中：40＜x＜60；10＜y＜30；10＜z＜30；x+y+z＝100其制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中，采用常规的提拉法生长Co_xNi_yGa_z磁性单晶，其生长条件为：加热Co_xNi_yGa_z原料到使之熔融；其熔融环境下以0.5－50转/分钟的速率旋转的带有籽晶的籽晶杆；在1050－1320℃的熔融温度条件下保持10－30分钟，用籽晶下端接触熔体的液面，然后以3－80mm/小时的均匀速率提升籽晶杆，将凝固结晶的单晶向上提拉，并使生长的单晶直径变大或保持一定；当生长的单晶达到所需尺寸时，将单晶提拉脱离熔融的原料表面，以0.5－20℃/分钟的缓慢降低温度冷却至室温，最后取出。

主权项

1.一种具有磁场可控的双向形状记忆效应的磁性单晶，其特征在于：具有如下组成：CoxNiyGaz 其中：40＜x＜60；10＜y＜30；10＜z＜30； 且x+y+z＝100所述的CoxNiyGaz：M单晶的居里温度达180℃；杨氏模量低到10GPa；最高达4.5％的磁场增强双向形状记忆效应；自由样品产生最高达2.3％的磁感生应变或磁致伸缩；超弹性为20％。