包括具有垂直集成相控阵天线和低频功率传递衬底的穿硅过孔管芯的芯片封装

摘要

一种装置，包括具有穿硅过孔和射频集成电路性能的管芯，并且其与相控阵天线衬底垂直集成。穿硅过孔和射频集成电路耦合到布置在相控阵天线衬底上的多个天线元件，其中多个天线元件中的每一个都通过多个穿硅过孔耦合到所述穿硅过孔和射频集成电路。一种将穿硅过孔和射频集成电路组装到相控阵天线衬底的工艺，包括测试所述装置。

主权项

一种垂直集成装置，包括：包括穿硅过孔和射频集成电路的管芯TSV RFIC；相控阵天线PAA衬底，其与所述TSV RFIC垂直集成，其中，所述PAA衬底包括多个天线元件，每一个所述天线元件都通过多个TSV而耦合到所述TSV RFIC；第一级互连衬底，所述TSV RFIC安装在所述第一级互连衬底上，其中，所述TSV RFIC包括有源表面和背侧表面；多个电凸块，所述多个电凸块布置在所述有源表面与所述第一级互连衬底之间，其中，所述第一级互连衬底是次级封装衬底；以及多个背侧凸块，所述多个背侧凸块布置在所述背侧表面与所述PAA衬底之间。