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In diesem Verfahren für die Herstellung von zumindest einem elektrischen Chipträger 12, wird der Träger aus einer Platte 26 gefertigt, welche eine erste Seite 16 umfasst, welche dazu eingerichtet ist, in Kontakt mit einem Chipleser zu sein, eine zweiten Seite 20 umfasst, welche mit einer ersten Schicht A aus elektrisch leitfähigem Material bedeckt ist und dazu eingerichtet ist mit einer RF Antenne verbunden zu werden und einen Kern 35 umfasst, welcher aus einem elektrisch isolierenden Material gefertigt ist, welcher die erste Seite 16 von der zweiten Seite 20 trennt. Das Verfahren umfasst die Schritte des Bohrens von zumindest einer Durchgangsöffnung 36 durch die Platte 26, des Abscheidens einer Schicht C aus elektrisch leitfähigem Material auf der ersten Seite 16 und des chemischen Ätzens einer ersten elektrischen Schaltung 32 und einer zweiten elektrischen Schaltung 34 auf der ersten Seite 16 und entsprechend der zweiten Seite 20. Entsprechend der Erfindung umfasst das Verfahren vor dem chemischen Ätzschritt einen Schritt des Abscheidens einer dritten Schicht D aus elektrisch leitfähigem Material in der Öffnung oder Öffnungen 36, das das elektrisch isolierende Material in der entsprechenden Öffnung oder Öffnungen 36 bedeckt, und welches nach dem chemischen Ätzschritt die erste elektrische Schaltung 32 und die zweite elektrische Schaltung 34 elektrisch verbindet. |
