半导体器件制造方法

摘要

在硅衬底1的杂质扩散层9、10的表面上形成了一层钴膜12和一层作为防氧气的阻挡膜的氮化钛膜13之后,在低于400℃的温度下进行第一热处理,形成一层Co₂Si膜31。利用硫酸和过氧化氢的混合溶液将该氮化钛膜和未发生反应的钴膜清除掉,随后在700～900℃的温度范围内的一个温度下进行另一次热处理,形成一层CoSi₂膜。根据本发明,穿透扩散层的硅化钴齿钉的产生将被抑制,使漏电流得到了良好控制并因此获得良好的晶体管特性以及较高的可靠性。

主权项

1．一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括如下步骤：在其中形成有一个杂质扩散层的硅衬底上形成一层钴膜，及利用热处理在与所述钴膜相接触的一个硅层内形成一层硅化钴；其中所述热处理包括如下步骤：通过在低于400℃的一个温度下进行第一热处理形成Co2Si膜；及通过进行第二热处理形成CoSi2膜。