发明名称 Heterostrukturbipolartransistor
摘要
申请公布号 DE68928670(T2) 申请公布日期 1998.10.01
申请号 DE19896028670T 申请日期 1989.09.19
申请人 AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US 发明人 CHEN, YOUNG-KAI, BERKELEY HEIGHTS NEW JERSEY 07922, US;LEVI, ANTHONY FREDERIC JOHN, SUMMIT NEW JERSEY 07901, US;NOTTENBURG, RICHARD NORMAN, NEW YORK NEW YORK 10014, US;PANISH, MORTON, SPRINGFIELD NEW JERSEY 07081, US
分类号 H01L29/73;H01L21/331;H01L29/08;H01L29/205;H01L29/737;(IPC1-7):H01L29/737 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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