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发明名称 PROCESSO PER LA FABBRICAZIONE DI CELLE DI MEMORIA A DOPPIO LIVELLO DI POLISILICIO PER DISPOSITIVI DI TIPO EEPROM
摘要
申请公布号 IT1289526(B1) 申请公布日期 1998.10.15
申请号 IT1996MI02742 申请日期 1996.12.24
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L 发明人 DALLA LIBERA GIOVANNA;VAJANA BRUNO;BOTTINI ROBERTA;CREMONESI CARLO
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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