集成电路器件及其方法

摘要

一种半导体器件(10)，具有在去除防反射涂层(ARC)(16)的过程中在衬底(12)中形成的凹部(22)，这是由于在刻蚀ARC(16)的过程中露出了这些凹部位置(22)。虽然所选择的刻蚀剂会在ARC材料(16)和衬底材料(12)之间选择，但这种选择性是有限的，因而出现凹部(22)。与这些凹部的形成有关的问题是，源极/漏极(26，28)进一步扩散以与栅极(14)重叠。这造成晶体管会具有减小的电流驱动。这种问题通过下述方式避免：至少等到形成了围绕栅极(64)的侧壁间隔(70)之后才进行ARC去除。由此形成的凹部远离栅极(64)形成，从而减少甚至消除了这种凹部给源极/漏极的扩散(72，74)带来的影响，从而使源极/漏极的扩散(72，74)按照希望延伸到与栅极(64)重叠。

主权项

1.一种形成集成电路器件的方法，包括：设置半导体衬底；在半导体衬底上形成第一构图层，其中第一构图层具有第一顶部、第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁近似垂直并彼此相对；在构图的电介质层上形成第二构图层，其中第二构图层具有第二顶部、第三侧壁和第四侧壁，第三侧壁和第四侧壁近似垂直并彼此相对，分别与第一侧壁和第二侧壁近似共面；在第二构图层上形成防反射涂层(ARC)；在第一顶部和第二顶部上、并邻接于第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁形成第一电介质层；去除一部分第一电介质层，从而形成邻接第一侧壁和第三侧壁的第一电介质区域和邻接于第三侧壁和第四侧壁的第二电介质区域，其中该部分包括在第一顶部和第二顶部上形成的第一电介质层的区域；在去除该部分第一电介质层之后去除ARC；和在半导体衬底中、在第一构图层和第二构图层的下面形成沟道区。