| 发明名称 | 化学气相沉积反应室中沉积温度的检测方法 | ||
| 摘要 | 一种沉积温度的检测方法，适用于检测化学气相沉积机台的反应室的沉积温度，包括：于反应室中置入待沉积物；于待沉积物上形成金属硅化物层；测量金属硅化物层的硅/金属原子比；以及将硅/金属原子比代入硅/金属原子比对温度的关系式以求得沉积温度。通过上述方法可实时检测并监控机台的沉积温度。 | ||
| 申请公布号 | CN1259707C | 申请公布日期 | 2006.06.14 |
| 申请号 | CN03101847.5 | 申请日期 | 2003.01.22 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 周世良;吴琮钦;林宗德;洪天爵;曾国佑;练文政 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L21/205(2006.01);C23C16/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种化学气相沉积反应室中沉积温度的检测方法，适用于检测一化学气相沉积机台的一反应室的一沉积温度，其特征在于：于该反应室中置入一待沉积物；于该待沉积物上形成一金属硅化物层；测量该金属硅化物层的硅/金属原子比；以及将该硅/金属原子比代入硅/金属原子比对温度的关系式以求得该沉积温度。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||