发明名称 |
一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法,先对精炼冶金硅进行破碎,除去可见杂质、化学清洗,再投入晶棒(锭)生长炉中,同时掺入镓或磷化镓,以镓的原子浓度计量,添加量在5ppma至14ppma之间,在晶棒(锭)生长完成后进行剖锭加工测量,获得所需的硅晶片。采用本发明的方法,可以用精炼冶金硅制造太阳能电池,降低了材料成本,有利于硅太阳能电池的普及应用。 |
申请公布号 |
CN101220507A |
申请公布日期 |
2008.07.16 |
申请号 |
CN200710132842.2 |
申请日期 |
2007.10.08 |
申请人 |
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
发明人 |
陈根茂;彭江 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01);C30B15/04(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01) |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陶海锋 |
主权项 |
1.一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法,先对精炼冶金硅进行破碎,除去可见杂质、化学清洗,再投入晶棒或晶锭生长炉中进行晶体生长,在晶棒或晶锭生长完成后进行剖锭加工测量,获得所需的硅晶片,其特征在于:在精炼冶金硅投入晶棒或晶锭生长炉的同时掺入镓或磷化镓,以镓的原子浓度计量,添加量在5ppma至14ppma之间。 |
地址 |
215129江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 |