发明名称 Vorrichtung und Verfahren für eine hochpräzise Spannungsreferenz
摘要 Eine Vorrichtung und ein Verfahren für eine Spannungsreferenzschaltung mit verbesserter Präzision. Die Spannungsreferenzschaltung verwendet eine Schwellenspannungsdifferenz zwischen einem Paar MOSFET. Eine Spannungsreferenzschaltung zwischen einem Energieversorgungsknoten und einem Masseknoten, die zum Erzeugen einer Referenzspannung ausgelegt ist, umfasst einen ersten Stromspiegel mit einem ersten NMOS-Transistor und einem zweiten NMOS-Transistor, wobei die erste NMOS-Transistor-Schwellenspannung nicht gleich der zweiten NMOS-Transistor-Schwellenspannung ist, einen zweiten Stromspiegel mit einem ersten PMOS-Transistor, einem zweiten PMOS-Transistor und einem dritten PMOS-Transistor, der dazu ausgelegt ist, mit dem Energieversor-gungsknoten gekoppelt zu sein, eine Stromquelle, die dazu ausgelegt ist, eine Stromstärke für den zweiten Stromspiegel bereitzustellen; einen Verstärker, der mit einem ersten und einem zweiten Eingang ausgebildet ist, die dazu ausgelegt sind, mit den Drains des ersten NMOS-Transistors und des zweiten NMOS-Transistors verbunden zu sein; und eine Rückkopplungsschleife, die dazu ausgelegt ist, der Ausgang des Verstärkers zu sein.
申请公布号 DE102015210217(A1) 申请公布日期 2016.08.04
申请号 DE201510210217 申请日期 2015.06.02
申请人 Dialog Semiconductor (UK) Limited 发明人 Tanimoto, Susumu
分类号 G05F3/24 主分类号 G05F3/24
代理机构 代理人
主权项
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