| 主权项 |
1.一种资料读出电路,其系被配置成用以从位于一 位元线与一字元线交叉的位置点处的阻値变化记 忆体中读取记忆体资料,其方式系藉由将该位元线 的电位设成一预设偏压电位并且侦测流入该阻値 变化记忆体之中的电流値,该资料读出电路包括: 一电容装置,其会透过一切换装置被连接至该位元 线;以及 一电流供应电路,其会被连接至该切换装置的两端 ,用以提供一电流给该位元线,致使该位元线的电 位等于该电容装置的电位;其中 于该切换装置处于中断连接状态时于该电容装置 之中累积预设数量的电荷之后,该切换装置便会变 成连接状态,而累积于该电容装置之中的电荷便会 分散于该电容装置的电容以及该位元线的电容之 间,以便将该电容装置的电位设成该偏压电位;以 及 于该切换装置变成中断连接状态且该位元线的电 位事先提高至一预设电位之后,利用该电流供应电 路将该位元线的电位提高至该偏压电位便可从该 阻値变化记忆体之中读取记忆体资料。 2.如请求项1之资料读出电路,其中 一感测放大器,其被连接至该电流供应电路,该感 测放大器系被配置成用以放大从该电流供应电路 被供应至该阻値变化记忆体的读出电流以及放大 于决定该阻値变化记忆体中的记忆体状态时作为 临界値的参考电流,并且输出该经放大的读出电流 与该经放大的参考电流之间的电流差。 3.一种半导体装置,其具有一位于一位元线与一字 元线交叉的位置点处的阻値变化记忆体以作为记 忆体单元;以及一资料读出电路,其系被连接至该 阻値变化记忆体,该资料读出电路会藉由将该位元 线的电位设成一预设偏压电位时侦测流入该阻値 变化记忆体之中的电流値而读取记忆体资料;其中 该资料读出电路包括: 一电容装置,其会透过一切换装置被连接至该位元 线;以及 一电流供应电路,其会被连接至该切换装置的两端 ,用以提供一电流给该位元线,致使该位元线的电 位等于该电容装置的电位;其中 于该切换装置处于中断连接状态时于该电容装置 之中累积预设数量的电荷之后,该切换装置便会变 成连接状态,而累积于该电容装置之中的电荷便会 分散于该电容装置的电容以及该位元线的电容之 间,以便将该电容装置的电位设成该偏压电位;以 及 于该切换装置变成中断连接状态且该位元线的电 位事先提高至一预设电位之后,利用该电流供应电 路将该位元线的电位提高至该偏压电位便可从该 阻値变化记忆体之中读取记忆体资料。 4.如请求项3之半导体装置,其中 一感测放大器,其被连接至该电流供应电路;以及 该感测放大器系被配置成用以放大从该电流供应 电路被供应至该阻値变化记忆体的读出电流以及 放大于决定该阻値变化记忆体中的记忆体状态时 作为临界値的参考电流,并且输出该经放大的读出 电流与该经放大的参考电流之间的电流差。 图式简单说明: 图1为根据本发明一具体实施例之半导体装置的电 路图; 图2为用于解释根据本发明一具体实施例之资料读 出电路的作业的示意图; 图3为用于解释根据本发明该具体实施例之资料读 出电路的作业的示意图; 图4为用于解释根据本发明该具体实施例之资料读 出电路的作业的示意图; 图5为用于解释根据本发明该具体实施例之资料读 出电路的作业的示意图; 图6为用于解释根据本发明一具体实施例之资料读 出电路的作业时序的时序图;以及 图7为一相关技术的资料读出电路的电路图。 |
