发明名称 Interner Versorgungsspannungs-Erzeugungsschaltkreis, Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zum Erzeugen einer internen Versorgungsspannung
摘要 Ein interner Versorgungsspannungs-Erzeugungsschaltkreis (1000) umfasst einen ersten Treiberschaltkreis (1100), der dazu ausgebildet ist, eine Rückkopplungsspannung (VFEED1) eines ersten Knotens zu empfangen und eine erste Ausgangsspannung, basierend auf ersten und zweiten Referenzspannungen (VR1, VR2), zu erzeugen, um die erste Ausgangsspannung an dem ersten Knoten bereitzustellen, wobei die erste Ausgangsspannung zwischen der ersten und der zweiten Referenzspannung (VR1, VR2) bereitgestellt wird; einen zweiten Treiberschaltkreis, der dazu ausgebildet ist, eine Rückkopplungsspannung (VFEED2) von einem zweiten Knoten zu empfangen und eine zweite Ausgangsspannung, basierend auf dritten und vierten Referenzspannungen (VR3, VR4), zu erzeugen, um die zweite Ausgangsspannung an dem zweiten Knoten bereitzustellen, wobei die zweite Ausgangsspannung zwischen der dritten und der vierten Referenzspannung (VR3, VR4) bereitgestellt wird und die zweite Ausgangsspannung des zweiten Knotens als eine interne Versorgungsspannung (VP) bereitgestellt wird; und eine Widerstandseinrichtung (1400), die zwischen den ersten und den zweiten Knoten eingeschleift ist.
申请公布号 DE102006043623(A1) 申请公布日期 2007.05.03
申请号 DE200610043623 申请日期 2006.09.12
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 LIM, JONG-HYOUNG;KANG, SANG-SEOK;BYUN, SANG-MAN
分类号 G11C11/4074 主分类号 G11C11/4074
代理机构 代理人
主权项
地址