TRANSISTOR PROVIDED WITH STRAINED GERMANIUM LAYER,申请号EP19900101415-传众专利搜索

发明名称	TRANSISTOR PROVIDED WITH STRAINED GERMANIUM LAYER
摘要
申请公布号	EP0380077(A3)	申请公布日期	1990.09.12
申请号	EP19900101415	申请日期	1990.01.24
申请人	HITACHI, LTD.	发明人	MURAKAMI, EIICHI;NAKAGAWA, KIYOKAZU;OHSHIMA, TAKASHI;ETO, HIROYUKI, HITACHI DAIYON KYOSHINRYO;MIYAO, MASANOBU
分类号	H01L27/085;H01L29/165;H01L29/737;H01L29/778;H01L29/80;(IPC1-7):H01L29/73;H01L29/76	主分类号	H01L27/085
代理机构		代理人
主权项
地址

您可能感兴趣的专利