| 摘要 |
Eine Halbleiter-Teilbaugruppe wird geschaffen zur Verwendung in einem Schaltmodul einer Inverterschaltung für eine Anwendung eines Wechselstrommotors mit hoher Leistung. Die Halbleiter-Teilbaugruppe umfasst einen Wafer mit ersten und zweiten gegenüberliegenden metallisierten Flächen; eine Halbleiterschalteinrichtung, die mit der ersten metallisierten Fläche des Wafers elektrisch gekoppelt ist und zumindest eine Elektrodenregion aufweist; und einen Verbund, der an die Halbleiterschalteinrichtung gebondet ist. Der Verbund umfasst eine erste Metallschicht, die an die zumindest eine Elektrodenregion der Halbleiterschalteinrichtung gebondet ist, eine Keramikschicht, die an die erste Metallschicht gebondet ist, wobei die Keramikschicht ein Durchgangsloch zum Zugreifen auf die erste Metallschicht definiert, eine zweite Metallschicht, die an die Keramikschicht gebondet ist, und eine leitende Substanz, die im Durchgangsloch der Keramikschicht angeordnet ist, um die erste Metallschicht mit der zweiten Metallschicht elektrisch zu koppeln. |
