| 主权项 |
1.一种无极性表面黏着型发光二极体,其包括:基板 、发光体、金属薄膜、封装层; 一基板,该基板两面系热压贴合铜箔金属薄膜,其 正面蚀刻成四个独立之金属薄膜区块,于基板反面 蚀刻成二独立之金属薄膜区块,又该基板两端各设 一镀通孔,使基板正面至反面之金属薄膜予以导通 ; 一金属薄膜,该金属薄膜系热压贴合于基板正、反 面金属薄膜,其正面金属薄膜蚀刻成左、右、上、 下四个独立金属薄膜区块,反面金属薄膜,蚀刻成 左、右两个独立金属薄膜区块,该正面之左、右两 个独立金属薄膜区块藉左、右两个镀通孔和反面 之左、右独立金属薄膜区块连接导通,分别固接发 光体,利用超音波焊接技术,于晶元电阻与发光二 极体打出导线焊接于上、下独立金属薄膜区块,连 接成一并联等效电路; 一发光体,该发光体系由晶元电阻及晶元发光二极 体组成,并分别以导电胶体黏固于该基板正面之左 、右区块金属薄膜上; 一封装层,该封装层系封装于基板上之发光体,以 保护晶元电阻及晶元二极体。 2.如申请专利范围第1项所述之无极性表面黏着型 发光二极体,其中该发光体串接晶元电阻,用以承 载较高电压,同时能避免晶元发光二极体烧毁。 3.如申请专利范围第1项所述之无极性表面黏着型 发光二极体,该无极性表面黏着型发光二极体内有 二组晶元发光二极体串接晶元电阻之结构,其中该 一组晶元发光二极体串接晶元电阻之结构与另一 组反向并联之,藉以达到无正负极性之限制。 4.如申请专利范围第1项所述之无极性表面黏着型 发光二极体,该无极性表面黏着型发光二极体系为 SMD(Surface Mounted Devices)表面黏着元件者,其中该晶 元电阻系为矽半导体限流电阻(Silicon Resister Chip), 该晶元发光二极体系为(LED CHIP)者。 5.如申请专利范围第1项所述之无极性表面黏着型 发光二极体,该基板反面之金属薄膜系供搭接或焊 接组合应用之。 图式简单说明: 第一图习用之发光二极体图。 第二图本创作之正面立体结构图。 第三图本创作之反面立体结构图。 第四图本创作之等效电路图。 第五图本创作之实施例。 第六图本创作另一实施例。 |
