| 主权项 |
1.一种压电瓷器组合物,其包含:以Pb、Zr及Ti为主成 分具有钙钛矿构造之复合氧化物,与下述(a)成分及 /或(b)成分: (a)Ag及/或Ag化合物,以及,Mo及/或Mo化合物; (b)钼酸银[Ag2MoO4]。 2.一种压电瓷器组合物,其系于以Pb、Zr及Ti为主成 分具有钙钛矿构造之复合氧化物,添加Ag及/或Ag化 合物,以及,Mo及/或Mo化合物而成者,且含有钼酸银[ Ag2MoO4]。 3.一种压电瓷器组合物,其系于以Pb、Zr及Ti为主成 分具有钙钛矿构造之复合氧化物,添加0.12~0.36莫耳 %钼酸银[Ag2MoO4]而成者。 4.一种压电瓷器组合物,其系于以Pb、Zr及Ti为主成 分具有钙钛矿构造之复合氧化物,添加Ag及/或Ag化 合物,以及,Mo及/或Mo化合物而成者,将Ag以Ag2O,Mo以 MoO3分别换算时之添加量系完全满足下式(i)~(iii): Ag2O添加量-MoO3添加量≦0.12莫耳%...(i); 0.24莫耳%≦Ag2O添加量≦0.48莫耳%...(ii); 0.12莫耳%≦MoO3添加重≦0.36莫耳%...(iii)。 5.如申请专利范围第1~4项中任一项之压电瓷器组 合物,其中进一步含有钼酸铅[Pb2MoO5]。 6.一种压电瓷器组合物,其包含:以Pb、Zr及Ti为主成 分具有钙钛矿构造之复合氧化物,与下述(A)成分及 /或(B)成分: (A)Ag及/或Ag化合物,Mo及/或Mo化合物,以及,W及/或W化 合物; (B)钼钨酸银[Ag2Mo(1-X)WXO4](惟X之数为0.3~0.7)。 7.一种压电瓷器组合物,其系于以Pb、Zr及Ti为主成 分具有钙钛矿构造之复合氧化物,添加Ag及/或Ag化 合物,Mo及/或Mo化合物,以及,W及/或W化合物而成者, 且含有钼钨酸银[Ag2Mo(1-X)WXO4](惟X之数为0.3~0.7)。 8.一种压电瓷器组合物,其系于以Pb、Zr及Ti为主成 分具有钙钛矿构造之复合氧化物,添加0.12~0.36莫耳 %钼钨酸银[Ag2Mo(1-X)WXO4](惟X之数为0.3~0.7)而成者。 9.一种压电瓷器组合物,其系于以Pb、Zr及Ti为主成 分具有钙钛矿构造之复合氧化物,添加Ag及/或Ag化 合物,Mo及/或Mo化合物,以及,W及/或W化合物而成者, 将Ag、Mo及W分别以Ag2O、MoO3、WO3换算时之添加量系 完全满足下式(1)~(3): Ag2O添加量-((1-X)MoO3+XWO3)添加量≦0.12莫耳%...(1 ); 0.24莫耳%≦Ag2O添加量≦0.48莫耳%...(2); 0.12莫耳%≦(MoO3+WO3)添加量≦0.36莫耳%...(3); [惟,X之数为0.3~0.7]。 10.如申请专利范围第6~9项中任一项之压电瓷器组 合物,其中进一步含有钼钨酸铅[Pb2Mo(1-X)WXO4](惟X之 数为0.3~0.7)。 11.如申请专利范围第1~4、6~9项中任一项之压电瓷 器组合物,其中前述复合氧化物进一步含有Zn、Mg 及Nb。 12.如申请专利范围第1~4、6~9项中任一项之压电瓷 器组合物,其中前述复合氧化物为aPb(Zn1/3Nb2/3)O3-bPb (Mg1/3Nb2/3)O3-cPbTiO3-dPbZrO3(惟,a+b+c+d=1)。 13.一种压电坯体,其系由烧成如申请专利范围第1~4 项中任一项之压电瓷器组合物而成,且含有钼酸银 [Ag2MoO4]者。 14.一种压电坯体,其系由烧成如申请专利范围第1~5 项中任一项之压电瓷器组合物而成,且含有钼酸银 [Ag2MoO4]及钼酸铅[Pb2MoO5]者。 15.一种压电坯体,其系由烧成如申请专利范围第6~9 项中任一项之压电瓷器组合物而成,且含有钼钨酸 银[Ag2 Mo(1-X)WXO4](惟X之数为0.3~0.7)。 16.一种压电坯体,其系由烧成如申请专利范围第6~ 10项中任一项之压电瓷器组合物而成,且含有钼钨 酸银[Ag2Mo(1-X)WXO4](惟X之数为0.3~ 0.7)及钼钨酸铅者[ Pb2Mo(1-X)WXO4](惟X之数为0.3~0.7)。 17.一种单板压电元件,其系具备:相互相对之2个电 极,及配置于该电极间之压电体层者,其中 前述压电体层系由如申请专利范围第1~12项中任一 项之压电瓷器组合物而成者。 18.一种单板压电元件,其系具备:相互相对之2个电 极,及配置于该电极间之压电体层者,其中 前述压电体层系如申请专利范围第13~16项中任一 项之压电坯体。 19.一种积层型压电元件,其系具备:内部电极、压 电体层及外部电极,前述内部电极与前述压电体层 交互积层,且前述内部电极系连接于前述外部电极 ,其中 前述压电体层系由如申请专利范围第1~12项中任一 项之压电瓷器组合物而成者。 20.一种积层型压电元件,其系具备:内部电极、压 电体层及外部电极,前述内部电极与前述压电体层 交互积层,且前述内部电极系与前述外部电极连接 ,其中 前述压电体层系如申请专利范围第13~16项中任一 项之压电坯体。 21.一种积层型压电元件,其系具备:内部电极、压 电体层及外部电极,前述内部电极与前述压电体层 交互积层,且藉由于前述积层方向形成之贯穿孔内 部之导体连接前述内部电极及前述外部电极,其中 前述压电体层系由如申请专利范围第1~12项中任一 项之压电瓷器组合物而成者。 22.一种积层型压电元件,其系具备:内部电极、压 电体层及外部电极,前述内部电极与前述压电体层 交互积层,且藉由于前述积层方向形成之贯穿孔内 部之导体连接前述内部电极及前述外部电极,其中 前述压电体层系如申请专利范围第13~16项中任一 项之压电坯体。 23.如申请专利范围第19~22项中任一项之积层型压 电元件,其中前述内部电极系包含Ag。 24.一种压电瓷器组合物之制造方法,其包含: 将含有Pb、Zr及Ti之原料假烧成以形成具有钙钛矿 构造之复合氧化物之步骤;及 于前述复合氧化物添加Ag及/或Ag化合物,以及,Mo及/ 或Mo化合物之步骤。 25.一种压电瓷器组合物之制造方法,其包含: 将含有Pb、Zr及Ti之原料假烧成以形成具有钙钛矿 构造之复合氧化物之步骤;及 于前述复合氧化物添加钼酸银[Ag2MoO4]之步骤。 26.一种压电瓷器组合物之制造方法,其包含: 将含有Pb、Zr及Ti之原料假烧成以形成具有钙钛矿 构造之复合氧化物之步骤;及 于前述复合氧化物添加Ag及/或Ag化合物,Mo及/或Mo 化合物,以及,W及/或W化合物之步骤。 27.一种压电瓷器组合物之制造方法,其包含: 将含有Pb、Zr及Ti之原料假烧成以形成具有钙钛矿 构造之复合氧化物之步骤;及 于前述复合氧化物添加钼钨酸银[Ag2Mo(1-X)WXO4](惟X 之数为0.3~ 0.7)之步骤。 28.一种压电元件之制造方法,其系 将具备如申请专利范围第1~12项中任一项之压电瓷 器组合物之本烧成前之压电元件前驱体,以烧成温 度850~950℃烧成。 图式简单说明: 图1系表示本发明之单板压电元件之实施形态之模 式剖面图。 图2系表示本发明之单板压电元件之制造步骤之流 程图。 图3系表示本发明之积层型压电元件之第1实施形 态之模式剖面图。 图4系表示本发明之积层型压电元件之第2实施形 态之模式剖面图。 图5系表示于实施例之单板或积层型压电元件之制 造步骤之流程图。 图6系表示样品41与样品49成形者,藉由热分析装置 调查其收缩行为之结果之图表。 |
