气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法

摘要

一种气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法，其是用乙硼烷∶磷烷为掺杂剂生长N-P-N双极晶体管材料时，将乙硼烷、磷烷加热使其裂解为低分子量的原子团束流，降低残余硼、磷杂质的本底浓度，并减少氢对硅生长速率的影响；掺硼结束时，速关断乙硼烷气流并降低乙硼烷裂解炉温度，可将硼严格限制在基区内；生长硅发射区时，将磷炉温度升高，可提高磷掺杂浓度并减少磷烷对硅生长速率的影响。

主权项

1、一种气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法，其特征在于，其方法的步骤是：(1)用乙硼烷、磷烷为掺杂剂生长N-P-N硅/锗硅/硅异质结双极晶体管材料时，将乙硼烷、磷烷通过加热炉使其裂解为低分子量的分子束流，从而降低残余硼、磷杂质的本底浓度，并减少磷烷对硅生长速率的影响；(2)锗硅基区掺硼时，将硼炉温度升至850℃以上，掺硼结束时，迅速关断乙硼烷气流并降低乙硼烷裂解炉温度至450℃以下，可将硼严格限制在基区内，硼浓度可达1-2×1019cm-3；(3)生长硅发射区时，将磷炉温度升至800℃-900℃，磷掺杂浓度可达2×1019cm-3以上，并可减少磷烷对硅生长速率的影响。