发明名称 |
SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TREATMENT LIQUID, TREATMENT METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT USING THESE |
摘要 |
저마늄(Ge)을 포함하는 Ge 함유층을 갖는 반도체 기판으로부터 상기 반도체 기판 상측의 유기물을 제거하거나, 혹은 그 표면을 세정하는 처리액으로서, 처리액을 pH5~16의 범위로 하는 약액 성분과, Ge 함유층을 방식하기 위한 방식 성분을 포함하는 반도체 기판의 처리액이다. |
申请公布号 |
KR20160083025(A) |
申请公布日期 |
2016.07.11 |
申请号 |
KR20167014337 |
申请日期 |
2014.11.14 |
申请人 |
FUJIFILM CORPORATION |
发明人 |
KAMIMURA TETSUYA;SUGISHIMA YASUO;MIZUTANI ATSUSHI |
分类号 |
G03F7/42;G03F7/32;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/8238 |
主分类号 |
G03F7/42 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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