发明名称 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TREATMENT LIQUID, TREATMENT METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT USING THESE
摘要 저마늄(Ge)을 포함하는 Ge 함유층을 갖는 반도체 기판으로부터 상기 반도체 기판 상측의 유기물을 제거하거나, 혹은 그 표면을 세정하는 처리액으로서, 처리액을 pH5~16의 범위로 하는 약액 성분과, Ge 함유층을 방식하기 위한 방식 성분을 포함하는 반도체 기판의 처리액이다.
申请公布号 KR20160083025(A) 申请公布日期 2016.07.11
申请号 KR20167014337 申请日期 2014.11.14
申请人 FUJIFILM CORPORATION 发明人 KAMIMURA TETSUYA;SUGISHIMA YASUO;MIZUTANI ATSUSHI
分类号 G03F7/42;G03F7/32;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/8238 主分类号 G03F7/42
代理机构 代理人
主权项
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