| 主权项 |
1.一种包含一记录层堆叠(110、210)之可重复写入式 光学记录载体(100、200),该记录层堆叠具有: 一第一介电层(114、214), 一纪录层,其包含一相位改变记录材料,及 一第二介电层(116、216),其特征在于邻近该第一介 电层配置一热阻障层(122、222)。 2.如申请专利范围第1项之可重复写入式光学记录 载体,其特征在于进一步包含承载该层堆叠之一基 板(120),该热阻障层配置于该第一介电层与该基板 之间。 3.如申请专利范围第2项之可重复写入式光学记录 载体,其特征在于该热阻障层之折射率系与该基板 之折射率接近。 4.如申请专利范围第1项之可重复写入式光学记录 载体,其特征在于进一步包含附着于该热阻障层之 一覆盖层(220)。 5.如申请专利范围第4项之可重复写入式光学记录 载体,其特征在于该热阻障层之折射率系与该覆盖 层之折射率接近。 6.如申请专利范围第2或3项之可重复写入式光学记 录载体,其特征在于该基板材料系聚碳酸酯或PMMA 。 7.如申请专利范围第4或5项之可重复写入式光学记 录载体,其特征在于该覆盖层材料系聚碳酸酯或透 明聚合树脂。 8.如申请专利范围第1、2、3、4或5项之可重复写入 式光学记录载体,其特征在于该热阻障层材料包含 SiO2或Al2O3作为其主要成分。 9.如申请专利范围第1、2、3、4或5项之可重复写入 式光学记录载体,其特征在于该等第一与第二介电 层材料包含以下成分之一或其混合物:ZnS、SiO2、Si 3N4、Al2O3或Ta2O5。 10.如申请专利范围第1、2、3、4或5项之可重复写 入式光学记录载体,其特征在于该相位改变记录材 料包含Ge、In、Sb及Te之一混合物。 图式简单说明: 图1显示依据本发明之一第一具体实施例之可重复 写入式光学记录载体之断面图; 图2显示依据本发明之一第二具体实施例之可重复 写入式光学记录载体之断面图; 图3显示依赖于第一介电层厚度之光学性能;及 图4说明会聚雷射光束之光学路径。 |
