| 摘要 |
본 발명은 고분자 패턴 구조체가 형성된 기판을 준비하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 패턴 구조체 상부를 덮는 마스크를 형성하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 마스크로 덮인 패턴 구조체 하부 측벽을 식각하여 공동(cavity)을 형성하는 단계(단계 3); 상기 단계 3까지 수행된 기판 상부에 금속 산화물을 도포하는 단계(단계 4); 및 상기 고분자 패턴 구조체를 제거하는 단계(단계 5);를 포함하는 금속 산화물 패턴의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 금속 산화물 패턴의 제조방법은 탑-다운 공정 방식으로 생산하기 어려운 금속 산화물 패턴을 균일하게 형성할 수 있는 효과가 있다. 또한, 대면적 기판에 건식 및 습식 식각 공정없이 저비용으로 금속 산화물 패턴의 제조가 가능하다. 나아가, 식각 공정으로는 생산할 수 없는 특정 금속 산화물의 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 금속 산화물 패턴을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법은 비정질의 금속 산화물 패턴을 스퍼터 증착 방법으로 형성할 수 있어 용액 공정으로 제조되는 금속 산화물 패턴을 사용하는 박막 트랜지스터보다 우수한 전하이동도를 가진다. |
