阵列基板及其制造方法

摘要

公开了一种阵列基板及其制造方法，所述阵列基板包括：基板，具有像素区域；栅极线，位于基板上；栅极电极，位于基板上并且与栅极线相连；栅极绝缘层，位于栅极线和栅极电极上；数据线，位于栅极绝缘层上并且与栅极线相交以限定像素区域；源极电极和漏极电极，位于栅极绝缘层上并且与栅极电极相对应，所述源极电极与数据线相连，所述漏极电极与源极电极间隔开；氧化物半导体层，位于源极和漏极电极的顶部。

主权项

一种阵列基板，包括：基板，具有像素区域；栅极线，位于基板上；栅极电极，位于基板上且与栅极线相连；栅极绝缘层，位于栅极线和栅极电极上；数据线，位于栅极绝缘层上且与栅极线相交以界定像素区域；源极电极和漏极电极，位于栅极绝缘层上且与栅极电极相对应，所述源极电极与数据线连接，所述漏极电极与源极电极间隔开，所述源极电极和所述漏极电极的顶层包括铜和铜合金中的一种；氧化物半导体层，位于源极和漏极电极的顶部上；和第一粘接层和第二粘接层，分别位于所述氧化物半导体层与所述源极电极和所述漏极电极之间，所述第一粘接层接触所述源极电极的上表面和所述氧化物半导体层的下表面，所述第二粘接层接触所述漏极电极的上表面和所述氧化物半导体层的所述下表面，其中所述第一粘接层和所述第二粘接层包括位于所述源极电极和所述漏极电极的顶层上的经过氮气等离子体处理的粘接层；并且所述第一粘接层覆盖所述源极电极的顶层的上表面和侧表面，所述第二粘接层覆盖所述漏极电极的顶层的上表面和侧表面。