ELECTRICALLY PUMPED OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP

摘要

본 발명은 전기적으로 펌핑된 광전자 반도체 칩(1)에 관한 것으로서, 상기 반도체 칩의 적어도 한 가지 실시 예에서 상기 광전자 반도체 칩은 2개 이상의 방사성 양자 웰(2)을 포함하며, 이 경우 상기 방사성 양자 웰들(2)은 InGaN을 포함하거나 InGaN으로 이루어진다. 또한, 상기 광전자 반도체 칩(1)은 2개 이상의 피복 층(4)을 포함하며, 상기 피복 층들은 AlGaN을 포함하거나 AlGaN으로 이루어진다. 피복 층들 각각(4)은 방사성 양자 웰들 중 정확히 하나의 방사성 양자 웰(2)에 할당되어 있다. 상기 피복 층들(4)은 각각 할당된 방사성 양자 웰(2)의 p-측면에 존재한다. 상기 방사성 양자 웰(2)과 할당된 피복 층(4) 간의 간격은 최대 1.5㎚이다.