一种半桥结构的全SiC功率半导体模块

摘要

本实用新型公开了一种半桥结构的全SiC功率半导体模块，该全SiC功率半导体模块包括壳体、基板和半桥电路；其中，半桥电路的上、下桥臂各有若干个SiC芯片并联构成；SiC芯片均焊接在基板上；壳体上设置有电极端子，基板与壳体固定连接，半桥电路与电极端子电气连接。本申请的全SiC功率半导体模块具有开关损耗小，热导率高，工作结温高等特点；且该申请将芯片封装成了模块，而不是分立器件，可以使系统小型化。

主权项

一种半桥结构的全SiC功率半导体模块，其特征在于，所述全SiC功率半导体模块包括壳体、基板和半桥电路；所述半桥电路的上、下桥臂各有若干个SiC芯片并联构成；所述SiC芯片均焊接在所述基板上；所述壳体上设置有电极端子，所述基板与所述壳体固定连接，所述半桥电路与所述电极端子电气连接。