| 摘要 |
저유전율막인 SiCOH막과 Cu 배선과의 각각의 노출면에 탄소가 탈락한 데미지층 및 산화물이 각각 형성된 기판에 대하여 데미지층을 회복시키고 또한 산화물을 환원하는 것이다. SiCOH를 포함한 층간 절연막(4)과 Cu를 포함한 배선(2)의 각각의 노출면에 탄소가 탈락한 데미지층(15) 및 산불화층(16)이 각각 형성된 웨이퍼(W)에 대하여, H가스의 공급과 실리콘 및 탄소를 포함한 TMSDMA 가스의 공급을 동일한 처리 용기(51)에서 이 순서로 연속하여 행함으로써, 산불화층(16)의 환원 처리 및 데미지층(15)의 회복 처리를 행한다. |
