制造半导体装置之方法

摘要

本发明揭示一种制造一半导体装置之方法，其包含在一第一膜上形成一光阻图案；将该光阻图案用作一光罩而将增加该第一膜之一蚀刻速率的一预定掺杂物植入于该第一膜中，从而在该第一膜中形成一植入层；并且将光阻图案用作一光罩来蚀刻该第一膜之一第一部分，其系该植入层的至少一部分。