发明名称 |
在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法 |
摘要 |
一种在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法,属于先进制造技术领域。本发明采用在清洗干净的硼硅玻璃片表面溅射铬铜种子层,经过光刻,形成加工玻璃深槽阵列的掩膜窗口;将硼硅玻璃片置入腐蚀液去除窗口内的铬铜种子层,分析纯丙酮中超声去胶,采用电镀方法,首先电镀铜掩膜,然后在铜掩膜上再电镀金掩膜,腐蚀,连续刻蚀,从而在硼硅玻璃表面刻出底部光滑的微沟槽阵列。本发明简便易行,基于溅射和无掩膜微电镀工艺来制备湿法腐蚀硼硅玻璃的掩膜,从而达到减小针孔缺陷和钻蚀量的效果。 |
申请公布号 |
CN1326791C |
申请公布日期 |
2007.07.18 |
申请号 |
CN200510026205.8 |
申请日期 |
2005.05.26 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
戴旭涵;赵小林;丁桂甫;蔡炳初 |
分类号 |
C03C17/06(2006.01);C03C15/00(2006.01);C25D3/38(2006.01);C25D3/48(2006.01) |
主分类号 |
C03C17/06(2006.01) |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
王锡麟;王桂忠 |
主权项 |
1.一种在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法,其特征在于,包括步骤如下:(1)在清洗干净的硼硅玻璃片表面溅射铬/铜种子层;(2)在溅射了铬/铜种子层的硼硅玻璃片上旋涂上一层光刻胶,经过光刻,形成加工玻璃深槽阵列的掩膜窗口;(3)将开出掩膜窗口的硼硅玻璃片置入腐蚀液去除窗口内的铬/铜种子层;(4)将硼硅玻璃片置入分析纯丙酮中超声去胶;(5)采用电镀方法,在开出窗口的铬/铜种子层表面电镀金属掩膜,首先电镀铜掩膜,然后在铜掩膜上再电镀金掩膜;(6)将电镀好金属掩膜的硼硅玻璃片放入湿法腐蚀液中腐蚀,连续刻蚀,从而在硼硅玻璃表面刻出底部光滑、深度大于100微米的微沟槽阵列。 |
地址 |
200240上海市闵行区东川路800号 |