一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管

摘要

本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开了一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管；旨在提供能够提高输出电流和器件跨导，改善频率特性的一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管；采用的技术方案为：自下而上设置有4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别设置有源极帽层和漏极帽层，N型沟道层中部且靠近源极帽层的一侧设置有栅区域，栅区域在N型沟道两侧形成左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区，左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区的深度为0.05‑0.1μm，左侧沟道的宽度为0.5μm，右侧沟道的宽度为1μm，在左侧沟道凹陷区正下方区域为具有高掺杂浓度的沟道高掺杂区域。

主权项

一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管，其特征在于，自下而上设置有4H‑SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，N型沟道层(3)的两侧分别设置有源极帽层(4)和漏极帽层(5)，所述源极帽层(4)和漏极帽层(5)的表面分别设置有源电极(6)和漏电极(7)，N型沟道层(3)中部且靠近源极帽层(4)的一侧设置有栅区域(10)，栅区域(10)在N型沟道层(3)两侧形成左侧沟道凹陷区(8)和右侧沟道凹陷区(9)，左侧沟道凹陷区(8)正下方区域为具有高掺杂浓度的沟道高掺杂区域(11)。