发明名称 PATTERNING PROCESS
摘要 (과제) 보다 미세한 패턴을 간편하고 또한 효율적으로 형성 가능하고, 반도체의 제조 프로세스에 적용할 수 있는 실용성이 높은 패턴 형성 방법을 제공한다. (해결 수단) 피가공 기판 상에 포지티브형 화학 증폭형 포토레지스트막을 형성하고 노광하고 유기 용제를 이용하여 현상하여 네거티브 현상 패턴을 얻는 공정, 열 혹은 산 또는 그 양방에 의해 용제 불용화되는 규소 함유 화합물 및 용제를 포함하는 규소 함유막 형성용 조성물을 피가공 기판 상에 도포하여 규소 함유막을 형성하는 공정, 가열에 의해 혹은 산을 촉매로 하여 또는 그 양방에 의해 네거티브 현상 패턴의 표면 근방의 규소 함유막을 용제 불용화시키는 공정, 불용화되지 않은 규소 함유막을 제거하여 불용화된 부분을 규소 함유막 패턴으로서 얻는 공정, 규소 함유막 패턴의 상부를 에칭하여 네거티브 현상 패턴을 노출시키는 공정, 네거티브 현상 패턴을 제거하는 공정, 규소 함유막 패턴을 피가공 기판에 전사하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법.
申请公布号 KR101648612(B1) 申请公布日期 2016.08.16
申请号 KR20130110188 申请日期 2013.09.13
申请人 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 发明人 오기하라 츠토무;우에다 다카후미
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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