空间碳化硅反射镜组件改性层低温制备方法

摘要

本发明公开了空间碳化硅反射镜组件改性层低温制备方法，包括以下步骤：清洗SiC基片：采用超声清洗10‑15分钟后干燥；溅射制备改性层：将清洗好的SiC基片放入PVD覆膜设备镀膜室的基片架上，对镀膜室进行抽真空并开启烘烤装置，烘烤温度为80℃‑100℃，当真空度达到5×10‑4P时开启充气系统充入反应气体甲烷，然后对基片进行反溅射清洗，反溅射清洗结束后在基片偏压为‑50v‑‑200v，溅射功率为2000‑3000W的条件下进行溅射5‑6小时，即得到改性膜层。本发明采用甲烷做反应气体，在温度80‑100℃下进行反应磁控溅射镀制备改性膜层，溅射速率高，缩短SiC基底改性层的加工周期，降低能源消耗。

主权项

空间碳化硅反射镜组件改性层低温制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）清洗SiC基片：采用超声清洗10‑15分钟后用吹风机吹风干燥；2）溅射制备改性层：将清洗好的SiC基片放入PVD覆膜设备镀膜室的基片架上，对镀膜室进行抽真空并开启烘烤装置，烘烤温度为80℃‑100℃，当真空度达到5×10^‑4P时开启充气系统充入反应气体甲烷，然后对基片进行反溅射清洗，反溅射清洗结束后在基片偏压为‑50v‑‑200v，溅射功率为2000‑3000W的条件下进行溅射5‑6小时，即得到改性膜层。