发明名称 多层瓷介片状电容器
摘要 一种多层瓷介片状电容器,满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小,绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能,并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中,介电层包含作为主要组分BaTiO<SUB>3</SUB>并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、BaO与CaO中至少一种、及SiO<SUB>2</SUB>。在第二种形式中,介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>与MoO<SUB>3</SUB>中至少一种。
申请公布号 CN1137326A 申请公布日期 1996.12.04
申请号 CN95191054.X 申请日期 1995.10.17
申请人 TDK株式会社 发明人 佐藤阳;川野直树;野村武史;中野幸惠;岚友宏;山松纯子
分类号 H01G4/12 主分类号 H01G4/12
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 酆迅
主权项 1.一种多层瓷介片状器,该电容器有一个包含交替叠合的介电层和内电极层的电容器片体,其中所述介电层包含作为主要组分的钛酸钡和作为次要组分的氧化镁、氧化钇、从氧化钡和氧化钙中至少选一种、以及氧化硅,按这样一种比例,即每100mol的BaTiO3中有:MgO:0.1至3molY2O3:大于0至5molBaO+CaO:2至12molSiO2:2至12mol其中假定钛酸钡、氧化镁、氧化钇、氧化钡、氧化钙和氧化硅分别按BaTiO3、MgO、Y2O3、BaO、CaO和SiO2计算,所述介电层具有最大为0.45μm的平均粒度,以及在所述介电层的X射线衍射图中,(200)平面的衍射线与(002)平面的衍射线至少部分地彼此重叠以形成一个具有最大为0.35°的半值宽度的宽衍射线。
地址 日本东京