| 发明名称 |
垂直構造を有する窒化ガリウムパワー半導体素子 |
| 摘要 |
半導体素子は、第１の面及び第２の面を有する基板と、基板の第１の面の上に配設される第１の活性層とを含む。第２の活性層は、第１の活性層上に配設される。第２の活性層は、２次元電子ガス層が第１の活性層と第２の活性層との間に生じるように、第１の活性層よりも高いバンドギャップを有する。少なくとも１つのトレンチは、第１及び第２の活性層並びに２次元電子ガス層を通り、基板へと延在する。導電材料はトレンチを裏張りする。第１の電極は第２の活性層上に配設され、第２の電極は基板の第２の面上に配設される。【選択図】図２ |
| 申请公布号 |
JP2016526802(A) |
申请公布日期 |
2016.09.05 |
| 申请号 |
JP20160525352 |
申请日期 |
2014.06.18 |
| 申请人 |
ヴィシャイ ジェネラル セミコンダクター エルエルシーＶｉｓｈａｙ Ｇｅｎｅｒａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＬＬＣ |
发明人 |
チェン，マックス エスケー;リン，イー−イン |
| 分类号 |
H01L29/872;H01L21/28;H01L21/329;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/12;H01L29/41;H01L29/47;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L29/872 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
