トレンチの下にシンカー拡散を有するバイポーラトランジスタ

摘要

記載される例において、バイポーラトランジスタ（１００）が、半導体表面（１０６）を有する基板（１０５）、及び第１及び第２のトレンチエンクロージャ（１２１、１２２）を含み、第１及び第２のトレンチエンクロージャ両方が、半導体表面の頂部側（１０６ａ）からトレンチ深さまで下向きに延在する誘電体で少なくともライニングされる。第１のトレンチエンクロージャは内部の囲まれたエリアを画定する。ベース（１４０）、及びベースに形成されるエミッタ（１５０）が、内部の囲まれたエリア内にある。埋め込み層（１２６）が、ベースの下を含み、トレンチ深さより下にある。シンカー拡散（１１５）が、第１及び第２のトレンチエンクロージャ間で、半導体表面の頂部側から埋め込み層まで延在する第１の部分（１１５ａ）と、内部の囲まれたエリア内の第２の部分（１１５ｂ）を含む。第２の部分は、半導体表面の頂部側まで延在しない。