| 摘要 |
반도체 다이에서 쓰루 바디 비아(TBV; through-body-via) 격리된 동축 커패시터를 형성하기 위한 기술이 개시된다. 일부 실시예에서, 개시된 기술을 이용하여 제공된 원통형 커패시터는, 예를 들어, 유전체 재료 및 외측 전도체 플레이트에 의해 둘러싸인 전도성 TBV를 포함할 수 있다. TBV 및 외측 플레이트는, 예를 들어, 일부 실시예에 따르면, 동축 배열로 서로 자체-정렬되도록 형성될 수 있다. 개시된 커패시터는 상부면 및/또는 하부면 상에서 그 단자들이 액세스가능하도록 호스트 다이의 바디를 통해 연장될 수 있다. 따라서, 일부 경우에, 일부 실시예에 따라 호스트 다이는 또 다른 다이에 전기적으로 접속되어 다이 스택 또는 다른 3차원 집적 회로(3D IC)를 제공할 수 있다. 일부 사례에서, 개시된 커패시터는, 예를 들어, 스위칭형-커패시터 전압 레귤레이터(SCVR)에서 집적된 커패시턴스를 제공하는데 이용될 수 있다. |
