| 主权项 |
1.一种具备过电压保护功能之积体电路承载基板，包含：一基板(22,32)；一接地导体层(23,33)，用以形成接地端，该接地端系配置于该基板下表面并贯穿该基板而延伸至其上表面，藉此于该基板之上表面露出一或多数个端点；一或多数个可变电阻材料层(24,34)，该可变电阻材料层系配置在该接地导体层所露出之各端点上，并与各接地导体层彼此相连接；以及多数导体层(21,31)，用以形成电极端，各该导体层系配置在该基板上，并覆盖各该可变电阻材料层，以与各该可变电阻材料层彼此相连接。2.一种具备过电压保护功能之积体电路承载基板，包含：一基板(42)；一或多数个可变电阻材料层(44)，该可变电阻材料层系配置在该基板之下表面；一接地导体层(43)，用以形成接地端，该接地端系配置于该基板下表面，延伸覆盖各可变电阻材料层，并与各该可变电阻材料层连接；以及多数导体层(41)，用以形成电极端，各该导体层系配置在基板上表面，并贯穿基板而延伸至其下表面，以与各该可变电阻材料层彼此相连接。3.一种具备过电压保护功能之积体电路承载基板，包含：一基板(52)；一接地导体层(53)，用以形成接地端，该接地端系配置于该基板下表面；一或多数个可变电阻材料层(54)，该可变电阻材料层系贯穿该基板并与该接地导体层彼此相连接；以及多数导体层(51)，用以形成电极端，各该导体层系配置在该基板上表面，并覆盖各该可变电阻材料层上以与各该可变电阻材料层彼此相连接。4.一种具备过电压保护功能之积体电路承载基板，包含：一第一基板(821)；一或多数接地导体层(83)，用以形成接地端，该接地端系配置于该第一基板下表面，并贯穿该第一基板而延伸至其上表面，藉此于该第一基板之上表面露出一或多数个端点；一或多数个可变电阻材料层(84)，该可变电阻材料层系配置在该接地导体层所露出之各端点上，并与各接地导体层彼此相连接；多数第一导体层(811)，各该导体层系配置在该基板上，并覆盖各该可变电阻材料层以与各该可变电阻材料层彼此相连接，而该多数第一导体层贯穿该第一基板，并于该第一基板之上下表面露出端点；一第二基板(822)，该第二基板系配置在第一基板上表面；以及多数第二导体层(812)，用以形成电极端，其贯穿第二基板，并与第一基板之第一导体层彼此相连接，且于第二基板之上表面露出端点。5.一种具备过电压保护功能之积体电路承载基板，包含：一第一基板(621)；多数第一导体层(611)，各该第一导体层(611)系配置在该第一基板(621)上，并贯穿该第一基板而于该第一基板上表面及下表面露出端点；一第二基板(622)，该第二基板系配置在第一基板上方；多数第二导体层(612)，各该第二导体层(612)系贯穿第二基板，于该第二基板之上表面及下表面露出端点，其下表面端点与第一基板之上表面端点彼此相连接；一接地导体层(63)，用以形成接地端，该接地端系配置于该第二基板下表面；一或多数个可变电阻材料层(64)，各该可变电阻材料层系贯穿第二基板，以便其下部与该接地导体层(63)相连接，其上部系于第二基板上表面露出端点；一第三基板(623)，该第三基板系配置在第二基板上表面；以及多数第三导体层(613)，用以形成电极端，其贯穿该第三基板使其下部端点分别与该第二基板之第二导体层与该接地导体层彼此相连接，且于第三基板之上表面露出端点。6.如申请专利范围第1至第5项中任一项之具备过电压保护功能之积体电路承载基板，其中该可变电阻材料层系非线性电阻材料层。7.如申请专利范围第1至第5项中任一项之具备过电压保护功能之积体电路承载基板，其中该基板之材料可以是陶瓷材料(ceramic materials)或高分子材料(polymer materials)。8.如申请专利范围第1至第5项中任一项之具备过电压保护功能之积体电路承载基板，其中该电极端与一晶片连接，其连接可以是焊锡球之方式或是以引线焊接之方式达成。9.如申请专利范围第1至第5项中任一项之具备过电压保护功能之积体电路承载基板，进一步包含一保护层用以减少外界环境所造成之影响。10.一种具备过电压保护功能之球格阵列式积体电路包装，包含：一球格阵列式积体电路包装；多数接地导体层(731,732,733)，用以形成接地端，各该接地端系配置于该球格阵列式积体电路包装之表面；一或多数个可变电阻材料层(74)，各该可变电阻材料层系覆盖在该接地导体层上，并与各接地导体层彼此相连接；以及多数电极端(71)，其中该可变电阻材料层系连接该多数电极端(71)与该多数接地导体层(731,732,733)。11.如申请专利范围第10项之具备过电压保护功能之球格阵列式积体电路包装，其中该基板之材料可以是陶瓷材料(ceramic materials)或高分子材料(polymer materials)。12.如申请专利范围第10项之具备过电压保护功能之球格阵列式积体电路包装，其中该电极端与一晶片连接，其连接可以是焊锡球之方式或是以引线焊接之方式达成。13.如申请专利范围第10项之具备过电压保护功能之球格阵列式积体电路包装，进一步包含一保护层用以减少外界环境所造成之影响。14.一种制造具备过电压保护功能之积体电路承载基板之方法，包含下列步骤：于一基板(22)上形成一第一导体层以作为接地导体层(23)，其中该第一导体层系形成于该基板之下表面并贯穿该基板而延伸至其上表面，藉此于该基板之上表面形成一或多数个端点；于该基板上形成一或多数个可变电阻材料层(24)，其中各该可变电阻材料层系覆盖在该接地导体层所露出之各端点上，并与各接地导体层彼此相连接；以及于基板上表面上形成多数第二导体层(21)，以作为上电极，该第二导体层系延伸覆盖各该可变电阻材料层，与各该可变电阻材料层彼此相连接。15.一种制造具备过电压保护功能之积体电路承载基板之方法，包含下列步骤：于一基板上形成一第一导体层(41)以作为上电极，其中该第一导体层系形成于该基板之上表面并贯穿至该基板而延伸至其下表面，藉此于该基板之下表面形成一或多数个端点；于该基板形成一或多数个可变电阻材料层(44)，其中各该可变电阻材料层系配置在该接地导体层所露出之各端点上，并与各接地导体层彼此相连接；以及于基板上表面形成多数第二导体层(43)，以作为接地导体层，该第二导体层系延伸覆盖各该可变电阻材料层，与各该可变电阻材料层彼此相连接。16.一种制造具备过电压保护功能之积体电路承载基板之方法，包含下列步骤：于一基板(102)上形成一导体层(103)；蚀刻该导体层(103)使之形成所需要之形状，以作为接地导体层(103)；将该基板挖出一或多数个所需要之孔洞；将该基板反转，并于该孔洞中置入可变电阻材料层(104)；以及于该导体层之相对侧之基板表面上形成多数上电极(101)，各该上电极系覆盖各该可变电阻材料层(104)。17.一种制造具备过电压保护功能之积体电路承载基板之方法，包含下列步骤：于一第一基板(821)上形成一或多数接地导体层(83)，以便形成接地端，该接地端贯穿延伸至该第一基板之上表面而配置于该第一基板下表面，藉此于该第一基板之上表面露出一或多数个端点；于该第一基板(821)之上表面上形成一或多数个可变电阻材料层(84)，该可变电阻材料层系配置在该接地导体层所露出于该基板之各端点上，并与各接地导体层彼此相连接；于该第一基板(821)之上表面上形成多数第一导体层(811)，各该导体层系配置在该基板上，并覆盖各该可变电阻材料层(84)，以与各该可变电阻材料层彼此相连接，且该多数第一导体层(811)贯穿该第一基板(821)，并于该第一基板(821)之上下表面露出端点；于一第二基板(822)形成多数第二导体层(812)，用以形成电极端，其贯穿第二基板(822)，并于该第二基板(822)之上表面露出端点；以及将该第二基板(822)配置在第一基板(821)上表面，其中该第一导体层(811)系与第二导体层(812)系彼此相互连接。18.一种制造具备过电压保护功能之积体电路承载基板之方法，包含下列步骤：于一第一基板(621)上形成多数第一导体层(611)，各该导体层系贯穿该第一基板，于该第一基板上表面及下表面露出端点；于一第二基板(622)形成多数第二导体层(612)，各该导体层系贯穿第二基板，于该第二基板之上表面及下表面露出端点；于该第二基板(622)挖孔并置入一或多数个可变电阻材料层(64)，各该可变电阻材料层系贯穿配置在第二基板，其上部系于第二基板上表面露出端点；于该第二基板(622)上形成一接地导体层(63)，用以形成接地端，该接地端系配置于该基板下表面；将该第二基板(622)配置于第一基板上，其中该可变电阻材料层(64)之下部系与该接地导体层(63)相连接，其下表面端点与该第一基板之上表面端点彼此相连接；于一第三基板(623)形成多数第三导体层(613)，用以形成电极端，其贯穿第三基板，且于第三基板之上、下表面露出端点；以及将该第三基板(623)配置于第二基板(622)上，其中各该第三导体层(613)分别与可变电阻材料层(64)及第二导体层之上表面端点彼此相连接。19.一种制造具备过电压保护功能之球格阵列式积体电路包装之方法，包含：于一球格阵列式积体电路包装中形成多数接地导体层(731,732,733)，用以形成接地端，各该接地端系配置于该球格阵列式积体电路包装之表面；于该多数接地导电层上形成一或多数个可变电阻材料层(74)，各该可变电阻材料层系配置在各该接地导体层所露出之各端点上，并与各接地导体层彼此相连接；以及多数电极端(71)，其中该可变电阻材料层系连接该多数电极端(71)与该多数接地导体层(731,732,733)。20.如申请专利范围第14至18项中任一项之方法，其中导体层之形成步骤中，可包含下列步骤：于该基板上旋涂(spin)光阻剂；以微影术蚀刻出所需要之形状。21.如申请专利范围第14至18项中任一项之方法，其中光阻剂系以清洗之方式除去。22.如申请专利范围第14至18项中任一项之方法，其中基板中孔洞之蚀刻系以雷射或冲孔之方式达成。23.如申请专利范围第16或18项之方法，其中各该可变电阻材料层系填入各该孔洞。24.如申请专利范围第14至18项中任一项之方法，其中该电极端系以印刷或金属箔压合之方式形成于该基板上。25.如申请专利范围第14至18项中任一项之方法，进一步包含该电极端与一晶片之连接，其连接可以是焊锡球之方式或是以引线焊接之方式达成。图式简单说明：图1a系一习知积体电路元件配置于基板上之俯视图；图1b系一习知积体电路元件配置于基板上之剖面图；图2a、2b及2c系根据本发明一实施例之具备过电压保护功能之积体电路承载基板形成过程之剖面图，图2d及图2e为根据前述实施例之具备过电压保护功能之积体电路承载基板形成过程之俯视图；图3、图4及图5系根据本发明不同实施例之具备过电压保护功能之积体电路承载基板之剖面图；图6a、6b及6c系根据本发明一实施例之多层型具备过电压保护功能之积体电路承载基板形成过程之剖面图；图7a、7b、7c、7d及7e系根据本发明一实施例之具备过电压保护功能之球格阵列式积体电路包装形成过程之剖面图；图7f系根据本发明一实施例之具备过电压保护功能之球格阵列式积体电路包装之俯视图；图8a及8b系根据本发明一实施例之多层型具备过电压保护功能之积体电路承载基板形成过程之剖面图；图9a及图9b系根据本发明之一实施例之具备过电压保护功能之积体电路承载基板之剖面图；以及图10a、10b、10c、10d、10e及10f根据本发明一实施例之具备过电压保护功能之积体电路承载基板形成过程之剖面图。 |
