用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法

摘要

在一实施例中，提供一种用以沉积一内含氮化硅的膜层在一基板表面的方法，其包括将该基板放置在一处理室中，加热该基板至一预定温度，将该基板表面暴露在一烷氨硅烷化合物及至少一种不含氨的反应物下，及沉积一氮化硅材料至该基板表面上。在另一实施例中，提供一种用以在一处理室中沉积一氮化硅层于一基板表面上的方法，其包括加热该基板至一介于约400℃至约650℃间的温度，将该基板暴露在一烷氨硅烷化合物及一种诸如氢气、甲硅烷、甲硼烷、甲锗烷、烷类、碳氢化物、胺类、联氨类、其衍生物或其组合的反应物下。

主权项

1、一种在一基板表面上沉积一氮化硅层的方法，其至少包含下列步骤：放置一基板在一处理室中；加热该基板至一预定温度；将该基板表面暴露在一烷氨硅烷化合物及至少一不含氨的反应物下；及沉积一氮化硅材料在该基板表面上。