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Vertikaler organischer Transistor, auf einem Substrat aufweisend: – eine Elektrode (121), – eine Gegenelektrode (123) und – eine Schichtanordnung, die zwischen der Elektrode (121) und der Gegenelektrode (123) angeordnet ist, wobei die Schichtanordnung mit den folgenden Schichten gebildet ist: – eine mittlere Elektrode (122), die einen Durchgang von elektrischen Ladungsträgern, die von der Elektrode (121) in die Schichtanordnung injiziert werden, durch die mittlere Elektrode (122) hindurch zulassend ausgeführt ist, so dass die injizierten elektrischen Ladungsträger von der Elektrode (121) durch die Schichtanordnung zu der Gegenelektrode transportierbar sind, – eine organische Schicht (131) aus organischem Halbleitermaterial, die zwischen der mittleren Elektrode (122) und der Elektrode (121) angeordnet ist, – eine weitere organische Schicht (132) aus organischem Halbleitermaterial, die zwischen der mittleren Elektrode (122) und der Gegenelektrode (123) angeordnet ist, und – eine Dotierschicht (141), die zwischen der mittleren Elektrode (122) und der Elektrode (121) angeordnet ist, wobei die Dotierschicht (141) gebildet ist als – eine elektrisch dotierte Schicht, bei der in ein Matrixmaterial ein elektrischer Dotand eingelagert ist, derart, dass ein teilweiser Ladungsübertrag zwischen dem elektrischen Dotanden und dem Matrixmaterial stattfindet, sodass eine Dichte freier Ladungsträger in der Dotierschicht (141) erhöht ist, oder als – eine Dotandenschicht aus einem Dotierungsmaterial, wobei das Dotierungsmaterial ein elektrischer Dotand für das organische Halbleitermaterial der organischen Schicht (131) ist, derart, dass in einem Grenzflächenbereich zwischen der Dotierschicht (141) und der organischen Schicht (131) eine Dichte freier Ladungsträger erhöht ist. |
