发明名称 半导体装置之微型图案的制作方法
摘要 一种半导体装置之微型图案的制作方法,系于基材上形成一牺牲层以及一遮罩层,再对牺牲层进行两次蚀刻,使其产生一比进行一次蚀刻小之线宽之图案化遮罩层,以获得一最小之特征尺寸。
申请公布号 TW200910417 申请公布日期 2009.03.01
申请号 TW096132100 申请日期 2007.08.29
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 吴孝哲;李名言;蔡文立
分类号 H01L21/027(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼